BSO083N03MSG和FDS4897C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO083N03MSG FDS4897C SI4410DYTRPBF

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFETON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4897C, 4.4 A,6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.021 Ω 0.01 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 2 W 2.5 W

阈值电压 - 1.9 V 1 V

输入电容 - 760 pF 1585 pF

漏源极电压(Vds) - 40 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

上升时间 - 27 ns 7.7 ns

输入电容(Ciss) - 760pF @20V(Vds) 1585pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 900 mW 2.5 W

下降时间 - 32 ns 44 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2.5W (Ta)

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 - SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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