DTC123JET1G和PDTC123JT,235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123JET1G PDTC123JT,235 DTC123JET1

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。TO-236AB NPN 50V 100mADTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8M

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SC-75-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 200 mW 250 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

长度 1.65 mm - 1.6 mm

宽度 0.9 mm - 0.8 mm

高度 0.8 mm 1 mm 0.75 mm

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SC-75-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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