对比图
型号 CY7C1245KV18-400BZC CY7C1245KV18-400BZXC CY7C1245KV18-400BZXI
描述 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)CY7C1245KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 - 920 mA -
时钟频率 - 400 MHz 400 MHz
位数 36 36 36
存取时间 - 0.45 ns 50 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -