MSMBJ51A和MSMBJ51AE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMBJ51A MSMBJ51AE3

描述 SMBJ 51V 600WSMBJ 51V 600W

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 DO-214AA DO-214AA

电路数 1 -

钳位电压 82.4 V 82.4 V

最大反向电压(Vrrm) 51V 51V

测试电流 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 56.7 V 56.7 V

击穿电压 56.7 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A

高度 2.41 mm -

封装 DO-214AA DO-214AA

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准

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