S34ML01G200BHI000和S34ML01G200TFI000

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S34ML01G200BHI000 S34ML01G200TFI000 S34ML01G200BHI003

描述 S34ML01G2 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63S34ML01G2 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48SLC NAND Flash Parallel 3V 1G-bit 128M x 8Bit 63Pin BGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 48 63

封装 BGA-63 TSOP-48 BGA-63

电源电压(DC) 2.70V (min) 2.70V (min) -

位数 8 8 8

存取时间 25 ns 25 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 3.3 V -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

供电电流 - 30 mA -

针脚数 - 48 -

内存容量 - 128000000 B -

封装 BGA-63 TSOP-48 BGA-63

长度 - 18.5 mm -

宽度 - 12.1 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.1.a -

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