对比图
型号 IXFN160N30T IXFN170N30P
描述 Trans MOSFET N-CH 300V 130A Automotive 4Pin SOT-227BSOT-227B N-CH 300V 138A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Chassis Screw
引脚数 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
通道数 1 -
耗散功率 900 W 890W (Tc)
阈值电压 5 V -
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V
上升时间 38 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 28000pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 900W (Tc) 890W (Tc)
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 138A
额定功率(Max) - 890 W
宽度 25.42 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free