对比图
型号 APT8020JLL APT8024JFLL APT8024JLL
描述 SOT-227 N-CH 800V 33A功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.SOT-227 N-CH 800V 29A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V
额定电流 33.0 A 29.0 A 29.0 A
输入电容 5.20 nF 4.67 nF 4.67 nF
栅电荷 195 nC 160 nC 160 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 29.0 A 29.0 A
上升时间 14 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 4 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 460000 mW 460W (Tc)
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 520 W - 460W (Tc)
额定功率(Max) - - 460 W
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)