1N6386-E3/73和ICTE18C-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6386-E3/73 ICTE18C-E3/54 1N6386HE3_A/D

描述 1.5kW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVSESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVSTVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 21.2 V 21.2 V 21.2 V

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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