对比图
型号 FQD20N06TM NTD20N06LT4G NTD20N06LG
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, NâChannel DPAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 16.8 A 20.0 A 20.0 A
额定功率 - 60 W 60 W
漏源极电阻 0.05 Ω 0.039 Ω 39.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 38 W 60 W 60 W
输入电容 - 7.7pF @25V 1.01 nF
栅电荷 - - 30.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±15.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.8 A 20.0 A, 20.0 mA 20.0 A
上升时间 45 ns 98 ns 98 ns
输入电容(Ciss) 590pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 1.36 W 1.36 W
下降时间 25 ns 62 ns 62 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 1.36 W 1.36 W
针脚数 3 3 -
阈值电压 4 V 1.6 V -
通道数 - 1 -
长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99