MOCD213M和MOCD213R2M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MOCD213M MOCD213R2M ILD205T

描述 SOIC8 表面贴装 双通道 70 V 2500 Arms 光电晶体管 光耦合器FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD213R2M  光电耦合器, 晶体管输出, 2通道, SOIC, 8 引脚, 60 mA, 2.5 kV, 100 %光电耦合器,光电晶体管输出,双通道, SOIC- 8封装 Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 1.6µs, 2.2µs 1.6µs, 2.2µs 3μs, 4.7μs

输入电压(DC) 1.25 V 1.25 V -

输出电压 70.0 V 120 V 70.0 V

电路数 2 2 -

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.2 V

输入电流 30.0 mA 60.0 mA 10.0 mA

耗散功率 0.25 W 0.25 W 0.3 W

上升时间 1.6 µs 1.6 µs 3 µs

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms 4000 Vrms

正向电流 60 mA 60 mA 30 mA

输出电压(Max) 70 V 70 V 70 V

输入电流(Min) 60 mA 60 mA -

击穿电压 6 V 6 V 6 V

正向电压(Max) 1.55 V 1.55 V 1.55 V

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 30 mA

下降时间 2.2 µs 2.2 µs 4.7 µs

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) 70.0 V - 1.20 V

击穿电压(集电极-发射极) 70 V - -

宽度 4.16 mm 4.16 mm -

高度 3.43 mm 3.43 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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