对比图
描述 DDR DRAM, 16MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
数据手册 --
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 - Surface Mount
引脚数 60 60
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
供电电流 - 110 mA
时钟频率 - 200 MHz
位数 8 8
存取时间 - 400 ps
存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
高度 0.8 mm -
工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 - NLR