MJE800和MJE800G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE800 MJE800G MJE800T

描述 达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYON SEMICONDUCTOR  MJE800G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 100 hFE 新TO-220 NPN 60V 4A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-220

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 60 V -

输出电流 - 4 A -

针脚数 - 3 -

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 40.0 W 40 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60.0 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V -

额定功率(Max) - 40 W -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 40000 mW -

输入电压 - 5 V -

长度 - 7.8 mm -

宽度 - 2.66 mm -

高度 - 11.04 mm -

封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

最小包装 500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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