BUK9608-55A,118和BUK9608-55B,118

对比图

型号 BUK9608-55A,118 BUK9608-55B,118 BUK9608-55B

描述 D2PAK N-CH 55V 125AD2PAK N-CH 55V 110AN沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

漏源极电阻 - 0.0062 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 253 W 203 W -

阈值电压 - 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 125A 75.0 A 110A

上升时间 175 ns 123 ns -

输入电容(Ciss) 6021pF @25V(Vds) 5280pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 253 W 203 W -

下降时间 167 ns 86 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) 253W (Tc) 203W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -