APT10090BLLG和IXFH12N100P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10090BLLG IXFH12N100P APT10090BLL

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 12A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-247 N-CH 1000V 12ATrans MOSFET N-CH 1kV 12A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

通道数 - 1 -

极性 - N-CH -

耗散功率 298 W 463 W -

阈值电压 - 6.5 V -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A -

上升时间 5 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 1969pF @25V(Vds) 4080pF @25V(Vds) -

下降时间 4 ns 36 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 298W (Tc) 463W (Tc) -

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 12.0 A - -

输入电容 1.97 nF - -

栅电荷 71.0 nC - -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台