ZTX855和ZTX855STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX855 ZTX855STZ FZT855

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELineTRANS NPN 150V 4A E-LINETrans GP BJT NPN 150V 5A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 E-Line-3 E-Line-3 SOT-223

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 4A 4A 5A

额定电压(DC) 150 V 150 V -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

耗散功率 1.2 W 1.2 W -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 5V 100 @1A, 5V -

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -

增益频宽积 - 90 MHz -

封装 E-Line-3 E-Line-3 SOT-223

长度 4.77 mm 4.77 mm -

宽度 2.41 mm 2.41 mm -

高度 4.01 mm 4.01 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

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