IXFH20N80Q和IXFK64N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH20N80Q IXFK64N50P SPW17N80C3

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH20N80Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 800 V, 420 mohm, 10 V, 4.5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFK64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VINFINEON  SPW17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3

额定电压(DC) 800 V 500 V 800 V

额定电流 20.0 A 64.0 A 17.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.42 Ω 0.085 Ω 290 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 W 830 W 208 W

阈值电压 4.5 V 5.5 V 3 V

输入电容 - 8.70 nF -

栅电荷 - 150 nC -

漏源极电压(Vds) 800 V 500 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 64.0 A 17.0 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 830 W 208 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 830W (Tc) 227W (Tc)

额定功率 - - 227 W

上升时间 27 ns - 15 ns

下降时间 14 ns - 12 ns

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3

长度 16.26 mm - 16.13 mm

宽度 5.3 mm - 5.21 mm

高度 21.46 mm - 21.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 6 g - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

HTS代码 8541290095 - -

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