对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR TIP29CG. 射频双极晶体管PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS TIP29C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 3 MHz 3 MHz -
额定电压(DC) 100 V -60.0 V 100 V
额定电流 1.00 A 3.00 A 1.00 A
针脚数 3 3 3
极性 NPN PNP, P-Channel NPN
耗散功率 30 W 40 W 30 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 60 V 100 V
热阻 4.167℃/W (RθJC) 3.125℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 1A 3A -
最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 10 @3A, 4V 15 @1A, 4V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) 75 50 75
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 30 W 2000 mW 2000 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 75
增益频宽积 - 3 MHz -
长度 10.28 mm 10.28 mm 10.4 mm
宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 15.75 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/06/16
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -