对比图
型号 FF200R12KT4HOSA1 SKM200GB12T4 SKM200GB12V
描述 INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON SKM200GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw -
引脚数 7 7 7
封装 62MM-1 Semitrans3 Module
针脚数 7 7 7
极性 NPN Dual N-Channel Dual N-Channel
热阻 - 0.038K/W (RθJC) -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率 1.1 kW - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -
输入电容(Cies) 14nF @25V - -
额定功率(Max) 1100 W - -
耗散功率(Max) 1100000 mW - -
长度 106.4 mm 106.4 mm -
封装 62MM-1 Semitrans3 Module
宽度 61.4 mm - -
高度 30.9 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99