FQB2N90和IRFBF20SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB2N90 IRFBF20SPBF IRFBF20STRLPBF

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology Vishay Intertechnology

分类

基础参数对比

封装 D2PAK - D2PAK

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 900 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.2A - -

封装 D2PAK - D2PAK

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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