2N6756和IRF120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6756 IRF120 IRF1404ZSTRLPBF

描述 INFINEON  2N6756  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 14A, TO-204AA8.0A和9.2A , 80V和100V , 0.27和0.36 Ohm的N通道功率MOSFET 8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 TO-204 - TO-263-3

引脚数 2 - -

额定功率 - - 220 W

针脚数 2 - 3

漏源极电阻 0.18 Ω - 0.0027 Ω

极性 - - N-CH

耗散功率 75 W - 200 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V - 40 V

连续漏极电流(Ids) - - 190A

上升时间 - - 110 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) - 4340pF @25V(Vds)

下降时间 - - 58 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW - 200W (Tc)

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.4 mm

封装 TO-204 - TO-263-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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