JANS2N2857和MMBT918

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N2857 MMBT918 2N2857

描述 Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 4Pin TO-72t-Npn Si- VhfRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, METAL, TO-72, 4 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 4 - -

封装 TO-72 - -

耗散功率 0.2 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 TO-72 - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 EAR99 - -

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