FQT13N06和FQT13N06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQT13N06 FQT13N06L FQT13N06D84Z

描述 Power Field-Effect TransistorLOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - SOT-223 -

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.8A -

封装 - SOT-223 -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司