对比图
型号 AUIRL1404Z IRL1404Z PHP21N06T,127
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-220AB N-CH 40V 200ATO-220AB N-CH 55V 21A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定功率 200 W - -
漏源极电阻 0.0025 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 200 W - 69 W
阈值电压 1.4 V - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 180A 200A 21A
上升时间 180 ns - 16 ns
输入电容(Ciss) 5080pF @25V(Vds) - 500pF @25V(Vds)
下降时间 49 ns - 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) - 69W (Tc)
长度 10.66 mm - 10.3 mm
宽度 4.82 mm - 4.7 mm
高度 16.51 mm - 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube - Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -