对比图
型号 MMBTA05 MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA05 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR MMBTA05LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 500 mA 96.1 A 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 350 mW 225 mW 0.3 W
增益频宽积 - - 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
针脚数 3 3 -
直流电流增益(hFE) 100 100 -
额定功率 350 mW - -
长度 2.9 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 2.64 mm 2.64 mm
高度 0.93 mm 1.11 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99