对比图
型号 SKM195GB066D SKM200GB063D FF200R06KE3
描述 SEMIKRON SKM195GB066D 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 265 A, 1.45 V, 600 V, ModulePower Igbt TransistorIGBT模块
数据手册 ---
制造商 Semikron (赛米控) Semikron (赛米控) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 7 7 7
封装 D-61 SEMITRANS 3 62MM-1
极性 Dual N-Channel N-Channel -
输入电容 - 11.2 nF -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
额定功率(Max) - - 680 W
耗散功率(Max) - - 680000 mW
针脚数 7 - -
封装 D-61 SEMITRANS 3 62MM-1
长度 94 mm - 106.4 mm
宽度 34 mm - 61.4 mm
高度 30.5 mm - 30.9 mm
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -
工作温度 -40℃ ~ 175℃ - -40℃ ~ 150℃