S8050D和SS8050DBU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S8050D SS8050DBU SS8050D-BP

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92ON Semiconductor SS8050DBU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装TO-92 NPN 25V 1.5A

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-226-3 TO-92

引脚数 - 3 -

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V 25 V

集电极最大允许电流 - - 1.5A

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 1 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 1 W -

直流电流增益(hFE) - 160 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

封装 - TO-226-3 TO-92

长度 - 4.58 mm -

宽度 - 3.86 mm -

高度 - 4.58 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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