对比图
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 IPAK TO-251-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 3.4A 3.40 A
额定电压(DC) - 400 V
额定电流 - 3.40 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 1.60 Ω
耗散功率 - 2.5 W
漏源击穿电压 - 400 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
上升时间 - 60 ns
输入电容(Ciss) - 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5 W
封装 IPAK TO-251-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 2.3 mm
高度 - 6.1 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99