PUMH4和PUMH4,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMH4 PUMH4,115 MUN5215DW1T1G

描述 NXP  PUMH4  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363NXP  PUMH4,115  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  MUN5215DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-363

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

针脚数 6 6 -

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 200 mW 200 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @1mA, 5V 160 @5mA, 10V

直流电流增益(hFE) 200 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定功率(Max) - 300 mW 250 mW

耗散功率(Max) - 300 mW 385 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

电源电压 - - 1.4 V

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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