P4KE36A和P4KE36A-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P4KE36A P4KE36A-G P4KE36-TP

描述 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENERESD 抑制器/TVS 二极管 TVS AXIAL 30.8V 400WDiode TVS Single Uni-Dir 30.8V 400W 2Pin DO-41 T/R

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Comchip Technology (上华科技) Micro Commercial Components (美微科)

分类 TVS二极管

基础参数对比

封装 DO-41 DO-41-2 DO-41

安装方式 - Through Hole -

封装 DO-41 DO-41-2 DO-41

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作电压 - 30.8 V -

击穿电压 - 34.2 V -

耗散功率 - 1 W -

钳位电压 - 49.9 V -

脉冲峰值功率 - 400 W -

最小反向击穿电压 - 34.2 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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