1N4103C和JANTXV1N4103D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4103C JANTXV1N4103D-1 1N4103-BP

描述 DO-35 9.1V 0.25W(1/4W)Diode Zener 9.1V 0.5W(1/2W) Do35DO-35 9.1V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 250 mW - 500 mW

稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Obsolete

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

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