IR2118S和IR2118STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2118S IR2118STRPBF IR2118SPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Inv 8Pin SOICINFINEON  IR2118STRPBF  芯片, MOSFET器件类型INFINEON  IR2118SPBF  集成电路, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 20.0V (max) 10.0V (min)

上升/下降时间 - 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 ≥10.0 V 10V ~ 20V 620 V

输出电流 - 200 mA 200 mA

针脚数 - 8 8

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

上升时间 - 80 ns 130 ns

下降时间 - 40 ns 65 ns

下降时间(Max) 65 ns 65 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 - 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 10 V 10 V

产品系列 IR2118 IR2118 -

静态电流 - 70 µA -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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