对比图
型号 SI4816DY-T1-E3 SI4816DY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-E3
描述 DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOICTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
漏源极电阻 22.0 mΩ - -
极性 Dual N-Channel - -
耗散功率 1.25 W - -
栅源击穿电压 20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 5.30 A - -
额定功率(Max) 1W, 1.25W - -
长度 - 4.9 mm 5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 3.9 mm -
高度 - 1.75 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free