SI4816DY-T1-E3和SI4816DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4816DY-T1-E3 SI4816DY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-E3

描述 DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOICTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

漏源极电阻 22.0 mΩ - -

极性 Dual N-Channel - -

耗散功率 1.25 W - -

栅源击穿电压 20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.30 A - -

额定功率(Max) 1W, 1.25W - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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