对比图
型号 IXGK50N60AU1 IXGK72N60A3H1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264AAIGBT 600V 75A 540W TO264
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-264-3 TO-264-3
耗散功率 300000 mW 540 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 50 ns 140 ns
额定功率(Max) 300 W 540 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW -
长度 20.29 mm 20.29 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 26.59 mm 26.59 mm
封装 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free