7130SA55P和IDT7130LA55P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7130SA55P IDT7130LA55P 7130LA35PDG

描述 HIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAMHIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

引脚数 48 - 48

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

长度 61.7 mm - 61.7 mm

宽度 15.2 mm - 15.24 mm

厚度 3.80 mm - 3.80 mm

高度 - - 3.8 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

存取时间 55 ns - 35 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

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