MMBV3102LT1G和MV2109

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBV3102LT1G MV2109 MMBV3102LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBV3102LT1G  可变电容二极管, 变容, 25 pF, 200 mA, 30 V, 150 °C, SOT-23, 3引脚Silicon Tuning DiodeVHF BAND, 22 pF, 30 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 - CASE 318-08

封装 SOT-23-3 - CASE 318-08

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

额定电压(DC) 30.0 V - -

电容 20 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 Standard - -

耗散功率 225 mW - -

正向电流 200 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

工作温度 125℃ (TJ) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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