2N5680和JANTX2N3635

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5680 JANTX2N3635 JAN2N3635

描述 PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIERTrans GP BJT PNP 140V 1A 3Pin TO-39 BoxSmall Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39-3 -

极性 - PNP -

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V - -

额定功率(Max) 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-39 TO-39-3 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Box -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

军工级 - Yes -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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