对比图
型号 2N5680 JANTX2N3635 JAN2N3635
描述 PNP功率晶体管的硅放大器 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIERTrans GP BJT PNP 140V 1A 3Pin TO-39 BoxSmall Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) Raytheon (雷神)
分类 双极性晶体管晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-39 TO-39-3 -
极性 - PNP -
耗散功率 1 W 1 W -
击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V - -
额定功率(Max) 1 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 1000 mW - -
封装 TO-39 TO-39-3 -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Bag Box -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Contains Lead -
军工级 - Yes -
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
ECCN代码 EAR99 - -