BZX79C12 R0和BZX79-C13,133

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX79C12 R0 BZX79-C13,133 BZX79C12_T50A

描述 Diode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RALF 13.25V 0.5W(1/2W)Diode Zener Single 12.05V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 Ammo

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

额定电压(DC) - - 12.0 V

电容 - - 65.0 pF

容差 - ±5 % ±5 %

额定功率 - - 500 mW

正向电压 - 900mV @10mA 1.5V @100mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 12 V 13 V 12.05 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA 1.5V @100mA

额定功率(Max) - 400 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

长度 - - 4.56 mm

宽度 - - 1.91 mm

高度 - - 1.91 mm

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 9.4 mV/K -

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台