对比图
型号 IXDI609SI IXDI609SIA IXDI609SITR
描述 IXD 系列 单 低压侧 9A 外露金属背面 超快 MOSFET 驱动器 SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 22ns, 15ns 22ns, 15ns 22ns, 15ns
输出接口数 1 1 1
上升时间 - 45 ns -
下降时间 - 40 ns -
下降时间(Max) 25 ns 25 ns 40 ns
上升时间(Max) 35 ns 35 ns 45 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -