对比图
型号 IRFR9210TRL IRFR9210TRLPBF IRFR9210-T1
描述 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKMOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKPower Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Samsung (三星)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
耗散功率 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
输入电容(Ciss) 170pF @25V(Vds) 170pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
封装 TO-252-3 TO-252-3 -
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.38 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Contains Lead 无铅 -