MSB1218A-RT1和MSB1218A-RT1G

对比图

型号 MSB1218A-RT1 MSB1218A-RT1G MSB709RT1

描述 PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNTPNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier TransistorMSB709RT1 PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 210~340 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 AR 放大器

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP -

耗散功率 150 mW 0.15 W -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 210 210 @2mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 340 - -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW -

长度 2.1 mm - -

宽度 1.24 mm - -

高度 0.85 mm - -

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-23

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -