BD180和BD180G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD180 BD180G

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorON SEMICONDUCTOR  BD180G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A

额定功率 - 30 W

针脚数 - 3

极性 PNP PNP

耗散功率 30 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 250 250

额定功率(Max) 30 W 30 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 30000 mW

长度 7.74 mm 7.74 mm

宽度 2.66 mm 2.66 mm

高度 11.04 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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