对比图
型号 IXGR50N60B IXSN62N60U1 IXER60N120
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 1.2kV 95A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 ISOPLUS-247 SOT-227-4 ISOPLUS-247
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 1200 V
额定功率(Max) 250 W 250 W 375 W
极性 - - NPN, N-Channel
耗散功率 - 250000 mW 375 W
上升时间 - - 50.0 ns
输入电容(Cies) - 4.5nF @25V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 250000 mW -
封装 ISOPLUS-247 SOT-227-4 ISOPLUS-247
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.07 mm -
高度 - 9.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free