RB521S-30TE61和RB521S30T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB521S-30TE61 RB521S30T1G RB521S30T1

描述 ROHM  RB521S-30TE61  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °CON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C肖特基二极管 Schottky Barrier Diode

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523-2 SOD-523 SOD-523

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA ≤200 mA

正向电压 500mV @200mA 500mV @200mA 500mV @200mA

极性 Standard Standard Standard

热阻 - 635℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA)

正向电流 200 mA 200 mA 0.2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A 1 A 1 A

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA 0.2 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

针脚数 2 2 -

正向电压(Max) 500 mV 500 mV -

工作结温 125℃ (Max) - -

负载电流 - 0.2 A -

耗散功率 - 200 mW -

反向恢复时间 - 6 ns -

长度 1.2 mm 1.3 mm 1.2 mm

宽度 0.8 mm 0.9 mm 0.8 mm

高度 0.6 mm 0.7 mm 0.6 mm

封装 SOD-523-2 SOD-523 SOD-523

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ 55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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