APT1001RBVRG和SML100B11

对比图

型号 APT1001RBVRG SML100B11 APT1001RBVR

描述 TO-247 N-CH 1000V 11AN–CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSTO-247 N-CH 1000V 11A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semelab Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-247 - TO-247

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 11.0 A - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 280 W - -

输入电容 3.66 nF - -

栅电荷 225 nC - -

漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A - 11A

上升时间 11 ns - -

输入电容(Ciss) 3050pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 280 W - -

下降时间 12 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 280000 mW - -

封装 TO-247 - TO-247

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -