KSE170S和MJE170G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE170S MJE170G

描述 Trans GP BJT PNP 40V 3A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkON SEMICONDUCTOR  MJE170G  双极晶体管

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 50 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V

额定电流 -3.00 A 2.00 A

针脚数 - 3

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 12.5 W

增益频宽积 - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 50

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 12500 mW

长度 - 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm

高度 - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99

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