对比图
型号 APT1001RSLC IXFT12N100Q
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 11A 3Pin(2+Tab) D3PAKTO-268 N-CH 1000V 12A
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-268-3
极性 - N-CH
耗散功率 - 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 12A
上升时间 - 23 ns
输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
封装 - TO-268-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free