对比图
型号 MS1579 TP9380 MRF317
描述 Trans RF BJT NPN 25V 5.2A 4Pin Case M-122RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 4 - 4
封装 M-122 - 316-01
安装方式 - - Chassis
耗散功率 65000 mW - 270 W
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 65000 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V
增益 - - 10 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - - 100 W
高度 16.26 mm - -
封装 M-122 - 316-01
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free