FQAF46N15和IXTC62N15P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQAF46N15 IXTC62N15P TC62

描述 150V N - 沟道MOSFET 150V N - CHANNEL MOSFETMosfet n-Ch Isoplus-220Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-3 ISOPLUS-220 -

安装方式 - Through Hole -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 33.5A - -

耗散功率 - 150W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

封装 TO-3 ISOPLUS-220 -

产品生命周期 Unknown End of Life Active

包装方式 - Tube -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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