BD681和BD681STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD681 BD681STU BD681G

描述 NPN 复合晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD681STU  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  BD681G.  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

额定功率 40 W 40 W -

输出电压 100 V - -

输出电流 4 A - -

针脚数 3 3 3

输入电流 0.1 A - -

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V 750

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW

输入电压 5 V - -

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 4A 4A

长度 7.8 mm 8 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 3.25 mm 2.66 mm

高度 10.8 mm 11 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台