IXTP48N20T和IXTQ48N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP48N20T IXTQ48N20T SFF50N20/3

描述 通孔 N 通道 200V 48A(Tc) 250W(Tc) TO-220ABTO-3P N-CH 200V 48AN-CH 200V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Solid State Devices

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 -

耗散功率 250 W 250W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 26 ns - -

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3090pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 250 W 250 W -

下降时间 28 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 250W (Tc) 250W (Tc) -

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 48A 50A

封装 TO-220-3 TO-3-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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